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VS-10ETF06FP-M3

VS-10ETF06FP-M3

僅供參考

型號 VS-10ETF06FP-M3
PNEDA編號 VS-10ETF06FP-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETF06FP-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETF06FP-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETF06FP-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝TO-220-2 Full Pack
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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460mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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3600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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