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VS-10ETF10-M3

VS-10ETF10-M3

僅供參考

型號 VS-10ETF10-M3
PNEDA編號 VS-10ETF10-M3
描述 DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-10ETF10-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-10ETF10-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-10ETF10-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.33V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)310ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SOD-57, Axial

供應商設備包裝

SOD-57

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

電容@ Vr,F

980pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

75pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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DO-201AD

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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