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VS-12F80

VS-12F80

僅供參考

型號 VS-12F80
PNEDA編號 VS-12F80
描述 DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-12F80資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-12F80
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-12F80規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.26V @ 38A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr12mA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

30A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

125V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 0V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 250A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 200°C

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制造商

Powerex Inc.

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2400V

電流-平均整流(Io)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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