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VS-12FL100S05

VS-12FL100S05

僅供參考

型號 VS-12FL100S05
PNEDA編號 VS-12FL100S05
描述 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-12FL100S05資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-12FL100S05
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-12FL100S05規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.06V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9.5mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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