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VS-12FLR80S05

VS-12FLR80S05

僅供參考

型號 VS-12FLR80S05
PNEDA編號 VS-12FLR80S05
描述 DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-12FLR80S05資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-12FLR80S05
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-12FLR80S05規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.4V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-203AA
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 220V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SQ-MELF, A

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

電容@ Vr,F

42pF @ 150V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

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