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VS-150EBU02

VS-150EBU02

僅供參考

型號 VS-150EBU02
PNEDA編號 VS-150EBU02
描述 DIODE GP 200V 150A POWIRTAB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $71.2769
50 ---------- $67.9358
100 ---------- $64.5947
200 ---------- $61.2536
400 ---------- $58.4694
500 ---------- $55.6851
庫存 8,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-150EBU02資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-150EBU02
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-150EBU02, VS-150EBU02數據表 (總頁數: 8, 大小: 127.59 KB)
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VS-150EBU02規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.13V @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)45ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱PowerTab™, PowIRtab™
供應商設備包裝PowIRtab™
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3500V

電容@ Vr,F

3pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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DO-214AA (SMB)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

310ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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