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VS-15ETH03-N3

VS-15ETH03-N3

僅供參考

型號 VS-15ETH03-N3
PNEDA編號 VS-15ETH03-N3
描述 DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-15ETH03-N3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-15ETH03-N3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-15ETH03-N3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)32ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

10V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 10000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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