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VS-15ETL06S-M3

VS-15ETL06S-M3

僅供參考

型號 VS-15ETL06S-M3
PNEDA編號 VS-15ETL06S-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-15ETL06S-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-15ETL06S-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-15ETL06S-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)270ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AB

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

710mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

590mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.95V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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