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VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I

僅供參考

型號 VS-1EFH01-M3/I
PNEDA編號 VS-1EFH01-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1EFH01-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1EFH01-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-1EFH01-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)16ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 850A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AB, B-PUK

供應商設備包裝

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

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