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VS-1N3766

VS-1N3766

僅供參考

型號 VS-1N3766
PNEDA編號 VS-1N3766
描述 DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N3766資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N3766
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-1N3766規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 110A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4mA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-263AB

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1800V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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