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VS-20BQ030-M3/5BT

VS-20BQ030-M3/5BT

僅供參考

型號 VS-20BQ030-M3/5BT
PNEDA編號 VS-20BQ030-M3-5BT
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 115,242
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20BQ030-M3/5BT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20BQ030-M3/5BT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-20BQ030-M3/5BT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果470mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F200pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝SMB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

70mA @ 4200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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R-1

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電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 10V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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