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VS-20ETF08PBF

VS-20ETF08PBF

僅供參考

型號 VS-20ETF08PBF
PNEDA編號 VS-20ETF08PBF
描述 DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETF08PBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETF08PBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-20ETF08PBF, VS-20ETF08PBF數據表 (總頁數: 7, 大小: 212.92 KB)
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VS-20ETF08PBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)400ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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400V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

150°C (Max)

BAV19WS-TP

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Micro Commercial Co

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-76, SOD-323

供應商設備包裝

SOD-323

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 60V

電容@ Vr,F

720pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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