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VS-20ETF08STRRPBF

VS-20ETF08STRRPBF

僅供參考

型號 VS-20ETF08STRRPBF
PNEDA編號 VS-20ETF08STRRPBF
描述 DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETF08STRRPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETF08STRRPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-20ETF08STRRPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)95ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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45V

電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB (D²PAK)

工作溫度-結點

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

750mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 45V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

系列

-

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 40V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

0402 (1006 Metric)

供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.12V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.4µs

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

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