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VS-25ETS10STRRPBF

VS-25ETS10STRRPBF

僅供參考

型號 VS-25ETS10STRRPBF
PNEDA編號 VS-25ETS10STRRPBF
描述 DIODE GEN PURP 1KV 25A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-25ETS10STRRPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-25ETS10STRRPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-25ETS10STRRPBF, VS-25ETS10STRRPBF數據表 (總頁數: 7, 大小: 124.23 KB)
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VS-25ETS10STRRPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.14V @ 25A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

750mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 750mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

12ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

17pF @ 25V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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制造商

Diodes Incorporated

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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