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VS-30APF10-M3

VS-30APF10-M3

僅供參考

型號 VS-30APF10-M3
PNEDA編號 VS-30APF10-M3
描述 DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 10,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-30APF10-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-30APF10-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-30APF10-M3, VS-30APF10-M3數據表 (總頁數: 9, 大小: 262 KB)
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VS-30APF10-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.41V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)450ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

575pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-27

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

960mV @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 200V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123W

供應商設備包裝

SOD-123W

工作溫度-結點

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Comchip Technology

制造商

Comchip Technology

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

R6, Axial

供應商設備包裝

R-6

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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