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VS-30ETH06S-M3

VS-30ETH06S-M3

僅供參考

型號 VS-30ETH06S-M3
PNEDA編號 VS-30ETH06S-M3
描述 DIODE ULTRA FAST 600V 30A D2PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-30ETH06S-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-30ETH06S-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-30ETH06S-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.6V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

85pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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40V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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650V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 20A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

866pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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