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VS-30ETU12THN3

VS-30ETU12THN3

僅供參考

型號 VS-30ETU12THN3
PNEDA編號 VS-30ETU12THN3
描述 DIODE GEN PURP 30A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 20,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-30ETU12THN3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-30ETU12THN3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-30ETU12THN3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.68V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)220ns
當前-反向泄漏@ Vr145µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.7V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

45mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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