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VS-32CTQ030-N3

VS-32CTQ030-N3

僅供參考

型號 VS-32CTQ030-N3
PNEDA編號 VS-32CTQ030-N3
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-32CTQ030-N3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-32CTQ030-N3
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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VS-32CTQ030-N3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.75mA @ 30V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

UB16DCT-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 80V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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2 Independent

二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

165ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

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-

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