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VS-40HF80M

VS-40HF80M

僅供參考

型號 VS-40HF80M
PNEDA編號 VS-40HF80M
描述 DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-40HF80M資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-40HF80M
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-40HF80M規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 125A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB (DO-5)
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

150°C (Max)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 560V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

eSMP®

二極管類型

Avalanche

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.7A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

72pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

145pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

400mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 400mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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