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VS-40HFL80S05M

VS-40HFL80S05M

僅供參考

型號 VS-40HFL80S05M
PNEDA編號 VS-40HFL80S05M
描述 DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-40HFL80S05M資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-40HFL80S05M
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-40HFL80S05M規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 125A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB (DO-5)
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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800V

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300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

13µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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400V

電流-平均整流(Io)

1.75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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9000V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100mA @ 9000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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