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VS-4ESH02HM3/86A

VS-4ESH02HM3/86A

僅供參考

型號 VS-4ESH02HM3/86A
PNEDA編號 VS-4ESH02HM3-86A
描述 DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-4ESH02HM3/86A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-4ESH02HM3/86A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-4ESH02HM3/86A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果930mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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