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VS-50EPU12LHN3

VS-50EPU12LHN3

僅供參考

型號 VS-50EPU12LHN3
PNEDA編號 VS-50EPU12LHN3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO247AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-50EPU12LHN3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-50EPU12LHN3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-50EPU12LHN3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)50A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.55V @ 50A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)262ns
當前-反向泄漏@ Vr330µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247AD
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 100V

電容@ Vr,F

660pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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