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VS-60EPF06-M3

VS-60EPF06-M3

僅供參考

型號 VS-60EPF06-M3
PNEDA編號 VS-60EPF06-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $85.1502
50 ---------- $81.1588
100 ---------- $77.1674
200 ---------- $73.1760
400 ---------- $69.8498
500 ---------- $66.5236
庫存 138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-60EPF06-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-60EPF06-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-60EPF06-M3, VS-60EPF06-M3數據表 (總頁數: 9, 大小: 253.47 KB)
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VS-60EPF06-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)180ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247AC Modified
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

6pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11.5ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.47µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

7.9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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