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VS-60EPU06P-S1

VS-60EPU06P-S1

僅供參考

型號 VS-60EPU06P-S1
PNEDA編號 VS-60EPU06P-S1
描述 DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-60EPU06P-S1資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-60EPU06P-S1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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VS-60EPU06P-S1規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.68V @ 60A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)81ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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800V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

145ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

155ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

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Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 30V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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