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VS-6EVL06-M3/I

VS-6EVL06-M3/I

僅供參考

型號 VS-6EVL06-M3/I
PNEDA編號 VS-6EVL06-M3-I
描述 DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-6EVL06-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-6EVL06-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-6EVL06-M3/I, VS-6EVL06-M3/I數據表 (總頁數: 7, 大小: 150.65 KB)
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VS-6EVL06-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.35V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝SlimDPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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