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VS-6EWX06FN-M3

VS-6EWX06FN-M3

僅供參考

型號 VS-6EWX06FN-M3
PNEDA編號 VS-6EWX06FN-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-6EWX06FN-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-6EWX06FN-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-6EWX06FN-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.1V @ 6A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)19ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 16A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

95µA @ 650V

電容@ Vr,F

878pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

25A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

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