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VS-70HFR160M

VS-70HFR160M

僅供參考

型號 VS-70HFR160M
PNEDA編號 VS-70HFR160M
描述 DIODE GEN PURP 1.6KV 70A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-70HFR160M資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-70HFR160M
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-70HFR160M規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1600V
電流-平均整流(Io)70A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.46V @ 220A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB (DO-5)
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

11pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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