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VS-85HF10M

VS-85HF10M

僅供參考

型號 VS-85HF10M
PNEDA編號 VS-85HF10M
描述 DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-85HF10M資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-85HF10M
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-85HF10M規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 267A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB (DO-5)
工作溫度-結點-65°C ~ 180°C

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電流-平均整流(Io)

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700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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DO-201AD

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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75V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 20V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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