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VS-85HFLR10S02M

VS-85HFLR10S02M

僅供參考

型號 VS-85HFLR10S02M
PNEDA編號 VS-85HFLR10S02M
描述 DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-85HFLR10S02M資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-85HFLR10S02M
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-85HFLR10S02M規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.75V @ 267A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)120ns
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB (DO-5)
工作溫度-結點-40°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

390mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2.2ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 6V

電容@ Vr,F

6.1pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

120pF @ 4V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 150V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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