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VS-85HFR120M

VS-85HFR120M

僅供參考

型號 VS-85HFR120M
PNEDA編號 VS-85HFR120M
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-85HFR120M資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-85HFR120M
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-85HFR120M, VS-85HFR120M數據表 (總頁數: 10, 大小: 178.39 KB)
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VS-85HFR120M規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 267A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB (DO-5)
工作溫度-結點-65°C ~ 180°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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50µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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