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VS-8ETH06-1HM3

VS-8ETH06-1HM3

僅供參考

型號 VS-8ETH06-1HM3
PNEDA編號 VS-8ETH06-1HM3
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A TO262
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8ETH06-1HM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8ETH06-1HM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8ETH06-1HM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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