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VS-8EVX06HM3/I

VS-8EVX06HM3/I

僅供參考

型號 VS-8EVX06HM3/I
PNEDA編號 VS-8EVX06HM3-I
描述 DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EVX06HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EVX06HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-8EVX06HM3/I, VS-8EVX06HM3/I數據表 (總頁數: 7, 大小: 145.53 KB)
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VS-8EVX06HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)18ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝SlimDPAK
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

6A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.9V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

730mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.4ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 60V

電容@ Vr,F

20pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 1700V

電容@ Vr,F

1596pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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