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VS-8EWF06STRLPBF

VS-8EWF06STRLPBF

僅供參考

型號 VS-8EWF06STRLPBF
PNEDA編號 VS-8EWF06STRLPBF
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWF06STRLPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWF06STRLPBF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8EWF06STRLPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)55ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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975mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4.5ns

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 60V

電容@ Vr,F

110pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.12V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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40V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

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