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VS-8EWH06FNTRLHM3

VS-8EWH06FNTRLHM3

僅供參考

型號 VS-8EWH06FNTRLHM3
PNEDA編號 VS-8EWH06FNTRLHM3
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWH06FNTRLHM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWH06FNTRLHM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-8EWH06FNTRLHM3, VS-8EWH06FNTRLHM3數據表 (總頁數: 7, 大小: 123.8 KB)
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VS-8EWH06FNTRLHM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

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