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VS-8EWH06FNTRR-M3

VS-8EWH06FNTRR-M3

僅供參考

型號 VS-8EWH06FNTRR-M3
PNEDA編號 VS-8EWH06FNTRR-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-8EWH06FNTRR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-8EWH06FNTRR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-8EWH06FNTRR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

28ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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