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VS-EMG050J60N

VS-EMG050J60N

僅供參考

型號 VS-EMG050J60N
PNEDA編號 VS-EMG050J60N
描述 IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-EMG050J60N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-EMG050J60N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-EMG050J60N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)88A
功率-最大338W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)100µA
輸入電容(Cies)@ Vce9.5nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱EMIPAK2
供應商設備包裝EMIPAK2

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

Yes

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