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VS-ETH3007-M3

VS-ETH3007-M3

僅供參考

型號 VS-ETH3007-M3
PNEDA編號 VS-ETH3007-M3
描述 DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 20,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETH3007-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETH3007-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-ETH3007-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.1V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)37ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 650V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1400V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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Infineon Technologies

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

120mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

100ps

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 30V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 35V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Through Hole

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