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VS-ETX0806FP-M3

VS-ETX0806FP-M3

僅供參考

型號 VS-ETX0806FP-M3
PNEDA編號 VS-ETX0806FP-M3
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 19,080
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETX0806FP-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETX0806FP-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-ETX0806FP-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果3.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)17ns
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝TO-220-2 Full Pack
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

2ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

240pF @ 1V, 1MHz

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 75V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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