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VS-GA200HS60S1

VS-GA200HS60S1

僅供參考

型號 VS-GA200HS60S1
PNEDA編號 VS-GA200HS60S1
描述 IGBT 600V 480A 830W
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GA200HS60S1資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GA200HS60S1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-GA200HS60S1規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)480A
功率-最大830W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.21V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce32.5nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱INT-A-Pak
供應商設備包裝INT-A-PAK

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Yes

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

530A

功率-最大

1136W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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