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VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S

僅供參考

型號 VS-GA250SA60S
PNEDA編號 VS-GA250SA60S
描述 IGBT 600V 400A SOT227
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $783.5619
50 ---------- $746.8324
100 ---------- $710.1029
200 ---------- $673.3735
400 ---------- $642.7656
500 ---------- $612.1577
庫存 7,093
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GA250SA60S資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GA250SA60S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
VS-GA250SA60S, VS-GA250SA60S數據表 (總頁數: 9, 大小: 285.64 KB)
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VS-GA250SA60S規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大961W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.66V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce16.25nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4
供應商設備包裝SOT-227

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當前-集電極(Ic)(最大值)

169A

功率-最大

694W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 160A

當前-集電極截止(最大值)

6mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

功率-最大

66W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.71nF @ 30V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

25PM-AA

制造商

IXYS

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-

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 42A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

840A

功率-最大

3000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

10.7nF @ 25V

輸入

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Yes

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