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VS-GB150TH120U

VS-GB150TH120U

僅供參考

型號 VS-GB150TH120U
PNEDA編號 VS-GB150TH120U
描述 IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB150TH120U資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB150TH120U
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-GB150TH120U規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)280A
功率-最大1147W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce12.7nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Double INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝Double INT-A-PAK

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當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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功率-最大

862W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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650A

功率-最大

3150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.77nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.6nF @ 25V

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No

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