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VS-GB600AH120N

VS-GB600AH120N

僅供參考

型號 VS-GB600AH120N
PNEDA編號 VS-GB600AH120N
描述 IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB600AH120N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB600AH120N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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VS-GB600AH120N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)910A
功率-最大3125W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 600A (Typ)
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce41nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Double INT-A-PAK (5)
供應商設備包裝Double INT-A-PAK

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 150A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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輸入電容(Cies)@ Vce

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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