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VS-GB600AH120N

VS-GB600AH120N

僅供參考

型號 VS-GB600AH120N
PNEDA編號 VS-GB600AH120N
描述 IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB600AH120N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB600AH120N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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VS-GB600AH120N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)910A
功率-最大3125W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 600A (Typ)
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce41nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Double INT-A-PAK (5)
供應商設備包裝Double INT-A-PAK

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功率-最大

750W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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600V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700A

功率-最大

2300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

49nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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