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VS-GB75YF120UT

VS-GB75YF120UT

僅供參考

型號 VS-GB75YF120UT
PNEDA編號 VS-GB75YF120UT
描述 IGBT 1200V 100A 480W ECONO
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB75YF120UT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB75YF120UT
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
VS-GB75YF120UT, VS-GB75YF120UT數據表 (總頁數: 10, 大小: 218.6 KB)
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VS-GB75YF120UT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大480W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝ECONO2 4PACK

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

13mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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