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VS-GB90DA60U

VS-GB90DA60U

僅供參考

型號 VS-GB90DA60U
PNEDA編號 VS-GB90DA60U
描述 TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,154
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GB90DA60U資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GB90DA60U
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
VS-GB90DA60U, VS-GB90DA60U數據表 (總頁數: 10, 大小: 273.45 KB)
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VS-GB90DA60U規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)147A
功率-最大625W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)100µA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4
供應商設備包裝SOT-227

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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輸入電容(Cies)@ Vce

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-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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430A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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輸入電容(Cies)@ Vce

6.3nF @ 25V

輸入

Standard

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Yes

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