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VS-MBR2035CT-1-M3

VS-MBR2035CT-1-M3

僅供參考

型號 VS-MBR2035CT-1-M3
PNEDA編號 VS-MBR2035CT-1-M3
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO262AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBR2035CT-1-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBR2035CT-1-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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VS-MBR2035CT-1-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 35V
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262AA

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

850µA @ 30V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

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-55°C ~ 150°C

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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