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VS-MBR350

VS-MBR350

僅供參考

型號 VS-MBR350
PNEDA編號 VS-MBR350
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 3A C16
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBR350資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBR350
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-MBR350, VS-MBR350數據表 (總頁數: 6, 大小: 107.6 KB)
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VS-MBR350規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果730mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr600µA @ 50V
電容@ Vr,F190pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱C-16, Axial
供應商設備包裝C-16
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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50V

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1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

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1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

550A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

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