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VS-MBRD330TR-M3

VS-MBRD330TR-M3

僅供參考

型號 VS-MBRD330TR-M3
PNEDA編號 VS-MBRD330TR-M3
描述 DIODE SCHOTTKY 3A 30V DPAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-MBRD330TR-M3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-MBRD330TR-M3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-MBRD330TR-M3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 20V
電容@ Vr,F189pF @ 5V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252AA)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

77pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

13µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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