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VS-SD1700C30K

VS-SD1700C30K

僅供參考

型號 VS-SD1700C30K
PNEDA編號 VS-SD1700C30K
描述 DIODE GEN PURP 3KV 2080A DO200AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD1700C30K資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD1700C30K
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-SD1700C30K規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)3000V
電流-平均整流(Io)2080A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.81V @ 4000A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr75mA @ 3000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AC, K-PUK
供應商設備包裝DO-200AC, K-PUK
工作溫度-結點-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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