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VS-SD800C30L

VS-SD800C30L

僅供參考

型號 VS-SD800C30L
PNEDA編號 VS-SD800C30L
描述 DIODE GEN PURP 3KV 1180A DO200AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD800C30L資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD800C30L
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-SD800C30L規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)3000V
電流-平均整流(Io)1180A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.66V @ 2000A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50mA @ 3000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝DO-200AB, B-PUK
工作溫度-結點-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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