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VS-SD800C36L

VS-SD800C36L

僅供參考

型號 VS-SD800C36L
PNEDA編號 VS-SD800C36L
描述 DIODE GP 3.6KV 1180A DO200AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD800C36L資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD800C36L
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-SD800C36L, VS-SD800C36L數據表 (總頁數: 8, 大小: 193.63 KB)
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VS-SD800C36L規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)3600V
電流-平均整流(Io)1180A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.66V @ 2000A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50mA @ 3600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Clamp On
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝DO-200AB, B-PUK
工作溫度-結點-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

175°C (Max)

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 150V

電容@ Vr,F

3000pF @ 5V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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